強茂 SGT G3 車用 MOSFET 系列 專為高效率車用電源設計

產品特色

超低導通電阻
強茂 SGT G3 MOSFET 系列的導通電阻 RDS(on) 典型值最低可達 0.47 mΩ，最大值為 0.61 mΩ*，有助於降低導通損耗，提升大電流車用應用的運作效率。
優化 FOM 兼顧導通與切換性能
本系列針對導通電阻與閘極電荷的乘積（RDS(on) × Qg）進行優化，兼顧導通與切換性能。其性能指標（FOM）為 65.8 mΩ·nC*，有助於降低功率損耗，實現高效率車用系統設計。

降低比導通電阻 提升晶片面積利用效率
SGT G3 MOSFET 系列的比導通電阻（RSP）為 6.72 mΩ·mm²*，兼具低導通電阻與高晶片面積利用效率，有助於提升功率密度，滿足車用電源小型化設計的需求。

高可靠度設計 因應嚴苛車用環境
SGT G3 MOSFET 系列具備穩健的安全工作區（SOA）與雪崩耐受能力，可因應嚴苛的車用工作條件，提升元件承受高能量暫態衝擊的能力。
所有元件均經過 100% 雪崩測試與閘極電阻（Rg）測試，並於晶圓針測（CP）階段導入 GDBC 與 DPAT，執行 100% 篩選，以落實強茂對零缺陷品質與長期可靠度的要求。
*上述性能數據以 40 V 產品為基準。

車規品質與完整追溯管理
本系列依循車規級品質要求，採用可全面稽核的製造流程，強化製程管控與產品追溯能力。產品通過 AEC-Q101 車規驗證，可配合生產件核准程序（PPAP）要求，最高接面溫度可達 175°C。

先進車用封裝方案
SGT G3 MOSFET 系列提供多種先進封裝選擇，提升電氣性能、散熱表現與組裝可靠度。
封裝選項包括 DFN3333SW-8L、DFN5060SW-8L、TO-252AA、LFPAK56P、sTOLL、DFN5060DA-8L 與 TOLL。
其中，專利 DFN5060SW-8L 封裝採用全銅夾（Full Copper-Clip）設計，源極與閘極皆以銅夾連接，取代傳統閘極打線，並搭配背面散熱片。熱模擬結果顯示，此結構的接面至外殼熱阻（RθJC）可降至 0.71 °C/W，相較於傳統採用金屬帶與打線的沖壓式封裝（0.82 °C/W），約降低 13%。其側邊可焊式端子（Side-Wettable Flanks）可在車用電子組裝過程中，透過自動光學檢測（AOI）檢查焊點，並提供類似鷗翼式引腳的效果，提升機械強度與焊點可靠度。

產品列表

• PSMWF005N04NS3-AU


• PSMWF011N04NS3-AU


• PSMWF007N04NS3-AU


• PSMWF008N04NS3-AU


• PSMWF024N04NS3-AU

更多產品將陸續推出。

關於強茂（PANJIT）

強茂股份有限公司 (TWSE : 2481) 在分離式元件領域擁有最完整IDM資源，業務涵蓋晶圓設計、製造、封裝測試到銷售自有品牌產品。持續不斷地投入創新與研發，結合生產自動化能力與製造技術優化，主要產品有IC, MOSFET, 蕭特基二極體、碳化矽功率元件、二極體整流器、保護元件、雙極性電晶體、橋式整流器等，透過全球市場佈局與行銷戰略，致力於綠能應用市場發展，AI Ecosystem、電動車、風力發電、太陽能及儲能系統等產業。系統認證有ISO 9001、IATF 16949、ISO 14000、ISO45001、IECQ QC080000、ESD S20.20和ISO27001。落實環境友善管理、關懷員工與貢獻社會，提升企業永續發展，實踐2040年碳中和的環境永續目標。強茂深知企業社會責任的重要性，積極響應全球永續發展趨勢，將永續發展理念融入企業營運的各個環節。我們以「強化綠能發展，茂林永續經營」、「打造幸福強茂，員工引以為傲的企業」及「誠信經營，攜手全球夥伴永續共好」為願景，積極推動綠色轉型，想了解更多歡迎下載詳讀強茂最新永續報告書。欲瞭解更多強茂資訊，請造訪：
．LinkedIn
．Facebook
．WeChat
．Youtube
．Bilibili